FIB Focus Ion Beam NX-2000 Hitachi

FIB Focus Ion Beam

FIB Focus Ion Beam NX-2000 Hitachi

Le FIB NX-2000 HITACHI est équipé de trois canons. La colonne ionique à forte densité de courant (jusqu'à 100nA) est verticale. La colonne électronique ultra-haute résolution possède un canon à émission froide de nouvelle génération permettant l'observation de la zone amincie en temps réel. Un troisième canon émettant des ions Argon permet de réduire considérablement les dommages d'irradiation habituellement constatés avec les ions Gallium.
La platine de débattements 200mmX200mm, le dispositif breveté "Micro Sampling" et de multiples possibilités d'injection de gaz complètent les caractéristiques du FIB Hitachi NX2000.

FIB column

Resolution (SIM): 4 nm 30 kV, 60 nm 2 kV
Accelerating voltage: 0,5 kV - 30 kV
Beam current:  0,05 pA - 100 nA
Max. beam current density: 54 A/cm2
Aperture: Automated - 15 positions
Min. dwell time: 10 ns

FE-SEM column

Resolution: 2,8 nm 5 kV, 3,5 nm 1kV
Accelerating voltage: 0,5 kV - 30 kV
Electron source: Cold cathode field emission source
Real-time monitoring: Optics enabled for live fabrication

Detector

Standard detector: Upper/Lower SED & BSED

Stage

X: 0-205 mm
Y: 0-205 mm
Z: 0-10 mm
θ: 0-360° continuous
γ: -5 - 60°

Option

Ar/Xe ion 3rd column
Micro-sampling system
Multi-gas injection system: Multi-gas injection system, Tungsten deposition gas, Platinium deposition gas, Insulator deposition gas, Xenon difluoride gas, Organic material etching gas
Double tilt system
Swing function (for Ar/Xe ion 3rd column)
TEM sample preparation wizard
Automatic TEM sample prepartion software
CAD navigation software
Linkage software with defect inspection instruments
Air protection holder
Cooling holder
Plasma cleaner
EDS (Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy) system

 

Documents

NX2000 Brochure 2016
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